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Galliumnitrid-Substrate Marktgröße im Wert von $ 588,7 Millionen bis 2030: IndustryARC
DerMarkt für Galliumnitrid-Substrate wird bis 2030 schätzungsweise 588,7 Mio. USD erreichen und im Prognosezeitraum 2024-2030 mit einer CAGR von 9,8 % wachsen.Die steigende Nachfrage nach GaN-Substraten aus der Automobil-LED-Industrie, die steigende Nachfrage nach Substraten mit breiter Bandlücke und der wachsende Bedarf an GaN-basierten Leistungsgeräten treiben die Nachfrage nach Galliumnitrid-Substraten bei den Endverbrauchern an, findet IndustryARC in seinem jüngsten Bericht mit dem Titel "Gallium Nitride Substrates Market Size, Share & Trends Analysis Report-By Type (GaN on Sapphire, GaN on Si, GaN on SiC, GaN on GaN), By Size (2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch), By End Use Product (Laser, Leuchtdioden (LEDs), Leistungselektronikgeräte, Hochfrequenz-Elektronikgeräte, andere), nach Anwendungen (Server und Datenzentren, LiDAR, drahtlose Ladeanwendungen, Stromversorgung, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV), andere), nach Endnutzungsindustrien (Automobil, Gesundheitswesen, Unterhaltungselektronik, Verteidigung, optische Speicherung, Telekommunikation, Satellitenkommunikation, andere), nach Regionen - Globale Chancenanalyse & Branchenprognose, 2024-2030''
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Asien-Pazifik wird das höchste Wachstum verzeichnen:
Geografisch gesehen wird der asiatisch-pazifische Raum im Galliumnitrid-Substrat-Marktanteil mit der höchsten CAGR von 10,6% während des Prognosezeitraums 2024-2030 wachsen. Japan, China und Korea sind die führenden Länder in der APAC-Region, die über 80% der Produktion ausmachen. Darüber hinaus stammen 90 % der GaN-Substratproduktion von Akteuren im asiatisch-pazifischen Raum, und Japan ist der führende Anbieter. Darüber hinaus fördern die Investitionen in die 5G-Technologie in der Region auch den Markt für Galliumnitrid-Substrate. So wird die taiwanesische Regierung laut dem Executive Yuan's Department of Information Services von 2021 bis 2025 zusätzliche 1,8 Milliarden US-Dollar im Rahmen des zukunftsorientierten Infrastrukturentwicklungsprogramms investieren, um die Industrie bei der Beschleunigung und Ausweitung der Bemühungen zur Förderung der Einrichtung der 5G-Infrastruktur im ganzen Land zu unterstützen.
Galliumnitrid-Substrate Markt2023-2030: Umfang des Berichts
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Bericht Metrik |
Einzelheiten |
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Berücksichtigtes Basisjahr |
2023 |
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Voraussichtlicher Zeitraum |
2024-2030 |
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CAGR |
9.8% |
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Marktgröße im Jahr 2030 |
588,7 Milliarden Dollar |
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Abgedeckte Segmente |
Größe, Typ, Endverbraucherprodukt, Anwendung, Endverbraucherindustrie und Region |
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Abgedeckte Geografien |
Nordamerika (USA, Kanada und Mexiko), Europa (Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Italien, Spanien, Russland und Rest von Europa), Asien-Pazifik (China, Japan, Südkorea, Indien, Australien und Rest von Asien-Pazifik), Südamerika (Brasilien, Argentinien und Rest von Südamerika), Rest der Welt (Naher Osten und Afrika). |
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Wichtige Marktteilnehmer |
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Galliumnitrid-Substrate Marktbericht - Key Takeaways:
Wachsende Nachfrage aus dem 5G Wireless Sektor
GaN-basierte HF-Bauteile bieten eine höhere Leistungsdichte, eine größere Bandbreite und niedrigere Betriebstemperaturen im Vergleich zu konventionellen siliziumbasierten HF-Bauteilen, wodurch sie für 5G-Basisstationen, HF-Verstärker und Phased-Array-Antennen gut geeignet sind. Da sich die Einführung von 5G-Netzen weltweit beschleunigt, steigt die Nachfrage nach GaN-Substraten, um den Ausbau von drahtlosen Hochgeschwindigkeitsnetzen mit geringer Latenz zu unterstützen und die Entwicklung von fortschrittlichen 5G-fähigen Geräten und Anwendungen zu ermöglichen.
Fortschritte in der GaN-auf-Silizium-Technologie
GaN-on-Silicon-Substrate kombinieren die überlegenen elektrischen Eigenschaften von GaN mit der Kosteneffizienz und Skalierbarkeit von Silizium-Wafer-Fertigungsprozessen und ermöglichen so die Herstellung großflächiger GaN-Substrate zu geringeren Kosten. Dieser Trend treibt die Entwicklung von GaN-basierten Leistungsgeräten, HF-Komponenten und optoelektronischen Geräten für verschiedene Anwendungen wie Automobil, Luft- und Raumfahrt, Industrie und Unterhaltungselektronik voran. Darüber hinaus verbessern Fortschritte in den Bereichen Epitaxieverfahren, Substrattechnik und Wafer-Bonding-Technologien die Leistung und Herstellbarkeit von GaN-Substraten auf Siliziumbasis, was ihre potenziellen Anwendungen und Marktchancen erweitert.
Fokus auf hochreine und defektfreie Substrate
Die Leistung von Bauelementen auf GaN-Basis hängt in hohem Maße von der Qualität des Substrats ab, einschließlich kristallographischer Defekte, Verunreinigungen und Oberflächenrauhigkeit. Daher steigt die Nachfrage nach hochwertigen GaN-Substraten mit geringer Versetzungsdichte, hoher kristalliner Perfektion und einheitlicher Oberflächenmorphologie. Halbleiterhersteller und Substratlieferanten investieren in fortschrittliche Kristallzüchtungstechniken, Substratpolierverfahren und Qualitätskontrollmaßnahmen, um hochreine GaN-Substrate herzustellen, die den strengen Leistungsanforderungen für Leistungselektronik, HF-Anwendungen und optoelektronische Geräte entsprechen.
Begrenzte Substratgröße und Probleme mit der Qualität
GaN-Substrate werden in der Regel auf Wafern mit kleinem Durchmesser gezüchtet, z. B. auf Substraten mit einem Durchmesser von 2 oder 4 Zoll, was die Größe und Skalierbarkeit der Herstellung von GaN-basierten Geräten einschränkt. Darüber hinaus kann die Kristallqualität von GaN-Substraten, einschließlich der Defektdichte, Versetzungen und Oberflächenrauhigkeit, die Leistung und Zuverlässigkeit von GaN-basierten Bauelementen beeinträchtigen. Trotz der Bemühungen um eine Verbesserung der Substratqualität durch fortschrittliche Wachstumstechniken und Substrat-Engineering bestehen weiterhin Herausforderungen bei der Herstellung großflächiger, hochwertiger GaN-Substrate, die den strengen Anforderungen neuer Anwendungen wie Automobil, Telekommunikation und erneuerbare Energien entsprechen.
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Analyse der Hauptchancen:
Neue Anwendungen der Leistungselektronik
GaN-Substrate bieten im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Substraten überlegene elektrische und thermische Eigenschaften, wodurch sie sich ideal für elektronische Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte wie Leistungswandler, HF-Verstärker und LED-Treiber eignen. Da die Nachfrage nach energieeffizienteren und kompakteren elektronischen Systemen in verschiedenen Branchen wie der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und den erneuerbaren Energien steigt, wächst das Interesse an GaN-basierten Leistungsbauelementen für Anwendungen wie Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter, drahtlose Ladesysteme und Rechenzentren. Dieser Trend bietet Halbleiterherstellern, Substratlieferanten und Geräteintegratoren die Möglichkeit, aus der wachsenden Nachfrage nach GaN-Substraten Kapital zu schlagen und innovative GaN-basierte Lösungen zu entwickeln, die den sich entwickelnden Anforderungen des Leistungselektronikmarktes gerecht werden.
Aufkommende Chancen in der Automobilelektronik
Mit der zunehmenden Elektrifizierung und Autonomie von Fahrzeugen steigt die Nachfrage nach effizienteren, zuverlässigeren und kompakteren elektronischen Systemen in Automobilplattformen. GaN-Substrate bieten Vorteile wie eine höhere Leistungsdichte, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und ein verbessertes thermisches Verhalten, wodurch sie sich für den Einsatz in elektrischen Antriebssträngen, Onboard-Ladegeräten, Energiemanagementsystemen und fortschrittlichen Fahrerassistenzsystemen (ADAS) eignen. Da Automobilhersteller und -zulieferer bestrebt sind, die Leistung, Effizienz und Sicherheit von Fahrzeugen zu verbessern und gleichzeitig die Emissionen und den CO2-Ausstoß zu verringern, besteht ein zunehmendes Interesse an GaN-basierten Lösungen für die Automobilelektronik.
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Der Bericht deckt auch die folgenden Bereiche ab:
- Galliumnitrid-Substrate Marktgröße und -prognose
- Galliumnitrid-Substrate Markttrends
- Galliumnitrid-Substrate Marktanalyse nach Typ
Markt für Galliumnitrid-Substrate (2023-2030): Wichtige Highlights
- CAGR des Marktes während des Prognosezeitraums 2024-2030
- Analyse der Wertschöpfungskette der wichtigsten Interessenvertreter
- Detaillierte Analyse der Markttreiber und -chancen während des Prognosezeitraums
- Schätzung und Prognose der Marktgröße von Galliumnitrid-Substraten
- Analyse und Prognosen zum Verhalten der Endverbraucher und zu kommenden Trends
- Analyse der Wettbewerbslandschaft und des Anbietermarktes, einschließlich Angebote, Entwicklungen und Finanzdaten
- Umfassende Analyse der Herausforderungen und Beschränkungen auf dem Markt für Galliumnitrid-Substrate
Auswirkungen der Kovid- und Ukraine-Krise:
Die COVID-19-Pandemie trieb die Nachfrage nach Galliumnitrat-Substraten in die Höhe. Aufgrund von Schließungen und neuen Infektionswellen gab es eine hohe Nachfrage nach medizinischen Geräten sowie nach Unterhaltungselektronik. Im Jahr 2020 investierte die indische Regierung 33,87 Mio. USD in das Sultanpur Medical Devices Park Project in Telangana für die Entwicklung von Medizinprodukten, 27,09 Mio. USD in das Palghar Medical Factory Upgrading Project, 68 Mio. USD in das Medical Devices Cluster Project und 136 Mio. USD in die Herstellung von medizinischen Geräten.
Nach Angaben des U.S. Geological Survey gehören die Ukraine und Russland zu den größten Produzenten von Gallium. Aufgrund der Ukraine-Krise wird es jedoch zu Engpässen bei der Versorgung mit diesen Rohstoffen kommen, die sich auf die Produktion von GaN-Substraten auswirken. Diese Ungewissheit hat auch zu Preisschwankungen beigetragen, die sich auf die Hersteller von Galliumnitrid-Substraten in einer komplexen geopolitischen Situation auswirken.
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Liste der wichtigsten Marktteilnehmer auf dem Markt für Galliumnitrid-Substrate:
Die wichtigsten Unternehmen, die im Galliumnitrid-Substrate-Marktbericht profiliert sind, werden unten aufgeführt:
- Kyocera Corporation
- Mitsubishi Chemical Gesellschaft
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.
- Saint Gobain (IVWerke)
- Pam Xiamen
- Toshiba-Gesellschaft
- Soitec
- GaN Systeme Inc.
- Cree
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