header-logo

Künstliche Intelligenz getriebene Marketingkommunikation

Haftungsausschluss: Der unten angezeigte Text wurde mithilfe eines Drittanbieter-bersetzungstools automatisch aus einer anderen Sprache bersetzt.


GaN-Halbleiterbauelemente Marktgröße, Anteil und Trendanalyse bis 2031

Oct 10, 2023 1:00 PM ET

InsightAce Analytic Pvt. Ltd. gibt die Veröffentlichung eines Marktbewertungsberichts über den "Globalen GaN-Halbleiter-Bauelementemarkt -(nach Typ (Opto-Halbleiter, HF-Halbleiter, Leistungshalbleiter), nach Bauelement (diskreter Halbleiter, integrierter Halbleiter), nach Anwendung (Blitz & Laser, Leistungsantriebe (LiDAR, Industrieantriebe, E.V. Laufwerke), Lieferungen & Inverter (SMPS, Inverter, Wireless Charging, E.V. charging), Radio Frequency (R.F.),

Front-End-Modul (FEM), Repeater/Booster/DAS, Radar & Satellit)), nach Vertikal (Verbraucher & Unternehmen, Industrie, Automobil, Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt & Verteidigung, Gesundheitswesen, Energie & Power), nach Spannungsbereich (weniger als 100 V, 100-500 V, mehr als 500 V)), Trends, Industrie Wettbewerb Analyse, Umsatz und Prognose bis 2031."

Laut der neuesten Studie von InsightAce Analytic wird der globale GaN-Halbleitermarkt im Jahr 2022 auf 20,18 Mrd. USD geschätzt und soll bis 2031 34,53 Mrd. USD erreichen , mit einer CAGR von 6,3 % während des Prognosezeitraums von 2023-2031.

Erhalten Sie ein kostenloses Exemplar des Berichts: https: //www.insightaceanalytic.com/request-sample/2119

Ein GaN (Galliumnitrid)-Halbleiterbauelement ist ein elektronisches Bauteil, das GaN als Halbleitermaterial für seine Konstruktion verwendet. GaN ist ein fortschrittliches Halbleitermaterial mit mehreren Vorteilen gegenüber herkömmlichen Materialien wie Silizium.

Die in letzter Zeit stark gestiegene Nachfrage nach energieeffizienten Halbleiterbauelementen hat ebenfalls zur wachsenden Beliebtheit beigetragen. Die Vorteile von GaN-Halbleiterbauteilen gegenüber Siliziumbauteilen haben zum Wachstum des Marktes beigetragen. Silizium-Materialien werden zur Herstellung von elektronischen Geräten wie Smartphones, Computern, Kameras und Fernsehern verwendet.

Andererseits haben GaN-Halbleiterbauelemente, die 100 Mal schneller sind als Silizium, eine Chance, da das kreative Potenzial von Silizium nachlässt. GaN-Bauteile sind Silizium-Bauteilen in vielerlei Hinsicht überlegen, unter anderem durch höhere Geschwindigkeit, niedrigere Kosten und bessere Energieeffizienz.

Der wachsende Bedarf an Spielkonsolen, Mobiltelefonen, Laptops und Fernsehern wird den Markt für GaN-Halbleiterbauelemente in der Unterhaltungselektronikbranche wahrscheinlich vorantreiben. Die Nachfrage nach GaN-Leistungshalbleitern auf dem IKT-Markt ist durch die Einführung des 5G-Standards gestiegen, der den Bedarf an Basisstationen und Hochleistungstransistoren erhöht hat.

Liste der führenden Akteure auf dem Markt für GaN-Halbleiterbauelemente:

  • Wolfspeed, Inc. (U.S.)
  • Qorvo, Inc. (US.)
  • MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (US.)
  • Infineon Technologies AG (Deutschland)
  • Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japan)
  • Mitsubishi Electric Gruppe (Japan)
  • NexGen Power Systems. (US.)
  • GaN Systems (Kanada)
  • Efficient Power Conversion Corporation (US.)
  • Odyssey Semiconductor Technologies, Inc. (US.)
  • ROHM Co., Ltd. (Japan)
  • STMicroelectronics NV (Schweiz)
  • NXP Semiconductors NV (Niederlande)
  • Transphorm, Inc,
  • Analog Devices, Inc,
  • Texas Instruments Incorporated,
  • Navitas Semiconductor,
  • Microchip Technology Incorporated,
  • Powdec,
  • Northrop Grumman Corporation,
  • Shindengen Electric Manufacturing Co, Ltd,
  • Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation,
  • Renesas Electronics Corporation,
  • Gallium-Halbleiter,
  • GaNpower

Marktdynamik:

Antriebskräfte -

Der steigende Bedarf an Unterhaltungselektronik wie Laptops, Smartphones, Stromadaptern, Hochgeschwindigkeitsladegeräten, LED-Beleuchtung, Smart-Home-Geräten und Spielgeräten wird das Wachstum des Marktes wahrscheinlich erheblich beeinflussen. Die Verwendung von GaN-Halbleiterbauelementen in der Unterhaltungselektronik erhöht die Leistungsdichte und Effizienz.

Sie verbessern die Laderaten, bieten eine längere Lebensdauer und verbrauchen weniger Strom. GaN-Halbleiterbauelemente, wie Basisstationen und andere Netzwerkgeräte, werden auch in Unternehmensanwendungen eingesetzt. Ihre Fähigkeit, hohe Leistungen und hohe Frequenzen zu verarbeiten, verbessert die drahtlose Kommunikation. Folglich wird erwartet, dass die steigende Nachfrage in der Unterhaltungselektronikindustrie und in Unternehmen die Marktexpansion vorantreiben wird.

Herausforderungen:

Die hohen Kosten von GaN-Halbleiterbauelementen behindern ihre breite Anwendung. Mehrere Faktoren tragen zu ihrem hohen Preis bei. Zunächst erfordert die Herstellung von GaN-Substraten, der Grundlage, auf der die Bauelemente entstehen, ausgefeilte Methoden, die spezielle Geräte und Kenntnisse voraussetzen.

Im Vergleich zu weiter entwickelten Halbleitermaterialien wie Silizium erhöht diese Komplexität die Herstellungskosten drastisch. Darüber hinaus trägt die Knappheit an hochwertigen GaN-Substraten zu ihrem hohen Preis bei und schränkt die Größenvorteile der Produktion ein.

Regionale Trends:

Es wird erwartet, dass der nordamerikanische Markt für GaN-Halbleiterbauelemente einen großen Marktanteil in Bezug auf die Einnahmen verzeichnen wird, und es wird prognostiziert, dass er in naher Zukunft mit einer hohen CAGR wachsen wird. Bedeutende Akteure in den Vereinigten Staaten, wie Cree, Inc, Efficient Power Conversion Corporation, Macom, Microsemi, Northrop

Grumman Corporation, Qorvo, Inc. und andere, haben zu dieser Expansion beigetragen. Die Vormachtstellung dieser Region ist auch auf den verstärkten Kauf von Galliumnitrid-Bauelementen und anderen verwandten Technologien in den Vereinigten Staaten und Kanada zurückzuführen. Texas Instruments Incorporated und Qorvo, Inc. bemühen sich um eine Finanzierung für die Produktion von GaN-basierten Geräten in den Vereinigten Staaten.

Die Präsenz etablierter Halbleiterhersteller wie Toshiba (Japan), Nichia Corporation (Japan) und Mitsubishi Electric (Japan), die zunehmende Integration in Verbraucher- und Geschäftsunternehmen sowie staatliche Initiativen für Innovation und industrielle Entwicklung sind die wichtigsten Faktoren, die das Wachstum des asiatisch-pazifischen Marktes vorantreiben.

Sind Sie neugierig auf diese neueste Version des Berichts? Erkundigen Sie sich vor dem Kauf: https://www.insightaceanalytic.com/enquiry-before-buying/2119

Jüngste Entwicklungen:

  • Im Juni 2023 hat NexGen den Beginn der Produktion der weltweit ersten vertikalen 700-V- und 1200-V-GaN-Halbleiter angekündigt, die die höchsten Schaltfrequenzen aufweisen. Die von NexGen entwickelten 1200V Vertical GaN e-mode Fin-jFETs waren die einzigen Wide-Band-Gap-Bauelemente, die bei einer Nennspannung von 1,4kV tatsächlich Schaltfrequenzen von über 1 MHz aufweisen.
  • Im Dezember 2021 kündigte Microchip Technology, Inc. eine beträchtliche Erweiterung seines Galliumnitrid (GaN)-Hochfrequenz (HF)-Leistungsbauelemente-Portfolios mit neuen MMICs und diskreten Transistoren für Frequenzen bis zu 20 Gigahertz (GHz) an. Durch die Kombination von hoher Leistungszusatzeffizienz (PAE) und hoher Linearität ermöglichen die Bauelemente neue Leistungsniveaus in Anwendungen, die von 5G über elektronische Kriegsführung, Satellitenkommunikation, kommerzielle und militärische Radarsysteme bis hin zu Testgeräten reichen.

Segmentierung des Marktes für GaN-Halbleiterbauelemente -

Nach Typ-

  • Opto-Halbleiter
  • RF-Halbleiter
  • Leistungshalbleiter

Nach Gerät-

  • Diskrete Halbleiter
  • Integrierte Halbleiter

Nach Anwendung-

  • Blitze & Laser
  • Antriebe
    • LiDAR
    • Industrielle Antriebe
    • E.V.-Antriebe
  • Versorgt & Wechselrichter
    • SMPS
    • Wechselrichter
    • Drahtlose Aufladung
    • E.V.-Ladung
  • Funkfrequenz (R.F.)
    • Front-End-Modul (FEM)
    • Repeater/Booster/DAS
    • Radar & Satellit

Durch Vertikal-

  • Verbraucher & Unternehmen
  • Industrie
  • Automobilindustrie
  • Telekommunikation
  • Luft- und Raumfahrt & Verteidigung
  • Gesundheitswesen
  • Energie & Strom

Nach Spannungsbereich-

  • Weniger als 100 V
  • 100-500 V
  • Mehr als 500 V

Nach Region-

Nordamerika-

  • Die USA
  • Kanada
  • Mexiko

Europa -

  • Deutschland
  • Großbritannien
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Übriges Europa

Asien-Pazifik-

  • China
  • Japan
  • Indien
  • Südkorea
  • Südostasien
  • Übrige Asien-Pazifik-Region

Lateinamerika-

  • Brasilien
  • Argentinien
  • Rest von Lateinamerika

Naher Osten & Afrika-

  • GCC-Länder
  • Südliches Afrika
  • Rest des Nahen Ostens und Afrikas

Für weitere Anpassungen @ https://www.insightaceanalytic.com/report/gan-semiconductor-device-market/2119

Über uns:

InsightAce Analytic ist ein Marktforschungs- und Beratungsunternehmen, das seine Kunden in die Lage versetzt, strategische Entscheidungen zu treffen. Unsere qualitativen und quantitativen Marktforschungslösungen informieren über den Bedarf an Markt- und Wettbewerbsinformationen zur Erweiterung von Unternehmen. Wir helfen unseren Kunden, einen Wettbewerbsvorteil zu erzielen, indem wir unerschlossene Märkte identifizieren, neue und konkurrierende Technologien erforschen, potenzielle Märkte segmentieren und Produkte neu positionieren. Unsere Expertise liegt in der Bereitstellung von syndizierten und kundenspezifischen Marktforschungsberichten mit einer eingehenden Analyse mit wichtigen Markteinblicken in einer zeitnahen und kosteneffektiven Weise.

Kontaktieren Sie uns: InsightAce Analytic Pvt. Ltd. Tel.: 1 718 593 4405 Email: [email protected] Site Visit: www.insightaceanalytic.com Folgen Sie uns auf LinkedIn @ bit.ly/2tBXsgS Folgen Sie uns auf Facebook @ bit.ly/2H9jnDZ

Keywords:  GaN Semiconductor Device Market,GaN Semiconductor,GaN Semiconductor Device