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Isoliertes Tor Bipolar Transistor Marktprognose wird bis 2025 11 Milliarden US-Dollar erreichen

Apr 2, 2021 7:37 AM ET

Der Insulated Gate Bipolar Transistor Market wird bis 2025 voraussichtlich 11 Milliarden US-Dollar erreichen und im Zeitraum 2019-2025 mit einem CAGR von 8% wachsen. IgBT verzeichnete aufgrund der Einführung von Elektrofahrzeugen ein deutliches Wachstum im Automobilsektor. Die Senkung der Kosten für Elektrofahrzeuge aufgrund des technologischen Fortschritts und des reduzierten Batteriepreises haben die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen seit 2016 erhöht. Die Produktion von Elektrofahrzeugen wird im Zeitraum 2018-2022 voraussichtlich um 28 % steigen, was den Verkauf von 14,8 Millionen Elektrofahrzeugen bis 2020 ausmachen wird.

Isoliertes Tor Bipolar Transistor Marktsegmentanalyse - Nach Anwendung

Der Automobilsektor wird im Prognosezeitraum 2019-2025 schätzungsweise um 13 % wachsen. Nach IEA-Daten für 2019 ergab dies, dass der Absatz neuer Elektroautos von 203 000 Einheiten im Jahr 2013 auf 1.872 Tausend Einheiten im Jahr 2018 gestiegen ist, aufgrund dessen der IGBT-Markt erstaunlich schnell wächst. Die Akzeptanz von Elektrofahrzeugen hat aufgrund der staatlichen Vorschriften für kontrolliertes Emissionsfahren enorm zugenommen, zusammen mit wirtschaftlichen Merkmalen, die EV im Vergleich zu Diesel- und Benzinfahrzeugen bietet. In ähnlicher Weise ergreifen die Regierungen in vielen Ländern mehrere Initiativen zur Förderung von Elektrofahrzeugen. So bereitet die indische Regierung 2019 einen Vorschlag vor, den Einsatz von Elektrofahrzeugen durch Subventionen zu beschleunigen.

Anforderung der Stichprobe des Berichts https://www.industryarc.com/pdfdownload.php?id=15423

Berichtspreis: 4500 $ (Einzelbenutzerlizenz)

Isoliertes Tor Bipolar Transistor Marktsegmentanalyse - Nach Geographie

Der APAC IGBT-Markt wird analysiert, um die höchste Wachstumsrate in den Jahren 2019-2025 zu verzeichnen. Der IGBT-Markt in dieser Region wird vor allem durch die steigende Produktion von Elektrofahrzeugen angetrieben. Im Jahr 2018 ist die Produktion des Elektrofahrzeugs in dieser Region im Vergleich zu 2016 um 75 % gestiegen. Regierungen in Ländern wie Indien, China und Japan fördern Elektrofahrzeuge durch verschiedene Programme. So plant die chinesische Regierung 2019 die Einführung eines Kreditsystems, bei dem Die Automobilhersteller Kredite für die EV-Produktion verdienen müssen, wenn sie konventionelle Fahrzeuge herstellen wollen. Die zunehmende Produktion der Elektrofahrzeuge im Land wird die Nutzung des IGBT erhöhen und sich positiv auf den Markt auswirken. Darüber hinaus wird die wachsende Zahl von Startups, die neue Technologien entwickeln, um die Batterieleistung zu verbessern und sich auf die Ladelösungen zu konzentrieren, die Nachfrage nach IGBT in dieser Region erhöhen. Darüber hinaus würden die technologischen Fortschritte in der Unterhaltungselektronik, in denen der Einsatz von IGBT in verschiedenen Anwendungen wie Wechselrichtern und UPS zu beobachten ist, den IGBT-Markt in dieser Region ankurbeln. So dürfte der Markt für Unterhaltungselektronik in China im Zeitraum 2019-2025 zwischen 10 % und 15 % wachsen. Dieses Wachstum dürfte dem IGBT-Markt in China neue Chancen bieten.

Isoliertes Tor Bipolar Transistor Markttreiber

Erhöhte Produktion von Elektrofahrzeugen durch strenge Emissionsnormen und verbesserte Ladeinfrastruktur:

Die EU hat vor kurzem die Umsetzung der neuen Verordnung (EU) 2019/631 angekündigt, die sich hauptsächlich auf die Verringerung der CO2-Emissionen von Fahrzeugen konzentriert. Die Umsetzung dieser Verordnung dürfte sich negativ auf die Produktion von Kraftstofffahrzeugen auswirken. In anbetracht dessen planen die Automobilhersteller, die Produktion von Elektrofahrzeugen zu erhöhen, was den Einsatz von IGBTs schrittweise erhöhen wird. In ähnlicher Weise tragen zunehmende Investitionen und Initiativen zur Einrichtung neuer Ladestationen durch die Wichtigsten wie Charge Point, Electrify America und Volkswagen wesentlich zum Wachstum des Marktes für Ladestationen für Elektrofahrzeuge bei. Im Jahr 2019 haben Charge Point und Electrify America eine Partnerschaft mit einem Plan geschlossen, 2 Milliarden US-Dollar in die Einrichtung von 30.000 Level 2- und DC-Schnellladestationen in den USA zu investieren. Im Juni 2019 plante Volkswagen die Einrichtung einer 484 Elektrofahrzeugstation mit mehr als 2.000 Ladeautomaten in den USA.

Einführung eines neuen Designkonzepts im IGBT:

Verschiedene Anbieter konzentrieren sich nun auf die Einführung neuer Designs, um die Leistung von IGBT zu verbessern. Die neuen Designkonzepte, die in IGBTs als "Filed Stop and Buried Layer" (BL) bezeichnet werden, werden dazu beitragen, wirksame Maßnahmen zur Verringerung des Schaltverlustes in Leistungsanwendungen zu bieten. Die Kombination dieser Technologien im Fertigungsprozess soll die Leistung der IGBTs weiter verbessern.

Beispielbericht herunterladen https://www.industryarc.com/pdfdownload.php?id=15423

Isoliertes Tor Bipolar Transistor Markt Herausforderungen

Verwendung von SiC-MOSFETs anstelle von IGBT in Power Switching-Anwendungen:

Da die Nachfrage nach den Solarwechselrichtern jedes Jahr um etwa 30 % steigt, setzen die Hersteller auf den Einsatz des SiC MOSFET um, das als Alternative für IGBT gilt. Der Einsatz von SiC MOSFET in Solarwechselrichtern soll die Kosten für den Wechselrichter senken und dazu beitragen, die Effizienz der Wechselrichter um 1%-2% zu steigern. Die zunehmende Nutzung von SiC MOSFET wird sogar dazu beitragen, den Leistungsverlust um 75% zu reduzieren. Die Hersteller des SiC MOSFET planen, fortschrittliche Technologie in den Herstellungsprozess zu implementieren, die dazu beitragen kann, den Preis von Produkten zu reduzieren.

Marktlandschaft

Der IGBT-Markt ist stark fragmentiert, da eine große Anzahl regionaler und globaler Anbieter vertreten ist. Wichtige Anbieter bieten maßgeschneiderte Produkte an, um von lokalen Herstellern profitieren zu können. Große Anbieter nutzen die neuen Anwendungsbereiche wie Elektrofahrzeuge, Antriebe und andere. Wichtige Akteure wie ROHM und Renesas Electric Corporation konzentrieren sich auf die Einführung der neuen Produkte. ROHM hat vor kurzem vier neue IGBTs mit 1200V-Klasse in automobiler Qualität eingeführt, die sich ideal für Wechselrichter in elektronischen Kompressoren und für Schaltkreise in PTC-Heizkörpern (Positive Temperatur koeffizient) eignen. Einführung neuer Produkte der Automobilserie durch ROHM, die hauptsächlich in Wechselrichtern und anderen Anwendungen eingesetzt werden, die zur Steigerung der Effizienz der Produkte beitragen und sich voraussichtlich positiv auf den Umsatz des Unternehmens auswirken werden. Die wichtigsten Akteure auf dem IGBT-Markt sind Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG, Fuji Electric Co. Ltd., ROHM Co. Ltd., SEMIKRON International GmbH, Mitsubishi Motors Corporation, Toshiba Corporation, Hitachi, Ltd. und andere.

Partnerschaften/Fusionen/Akquisitionen

Im Jahr 2016 erwarb Littelfuse die transienten Spannungsunterdrückungsdioden ("TVS") der ON Semiconductor Corporation, um Thyristoren und bipolare Gate-Transistorensegmente für eine Summe von 104 Millionen US-Dollar zu wechseln, um seine Rolle im Markt für bipolare Transistore im isolierten Gate zu erweitern.

F&E-Investitionen/Finanzierung

Toyota Central R&D Labs Inc. ist dabei, ein neues Designkonzept zur Verbesserung der Eigenschaften von IGBTs zu entwickeln. Die Toyota Central R&D Labs Inc. erwähnte, dass die neuen IGBTs mit dem Konzept des Field-Stop IGBT ausgestattet sind, die effektiv bei der Reduzierung der On-State-Spannung sind.

Isoliertes Tor Bipolar Transistor Marktforschung Umfang:

Das Basisjahr der Studie ist 2018, mit Prognosen bis 2025. Die Studie präsentiert eine gründliche Analyse der Wettbewerbslandschaft unter Berücksichtigung der Marktanteile der führenden Unternehmen. Es enthält auch Informationen über Stücksendungen. Diese liefern den SchlüsselMarktteilnehmer mit der notwendigen Business Intelligence und helfen ihnen, die Zukunft des IGBT-Marktes zu verstehen. Die Bewertung umfasst die Prognose, einen Überblick über die Wettbewerbsstruktur, die Marktanteile der Wettbewerber sowie die Markttrends, Marktanforderungen, Markttreiber, Marktherausforderungen und Produktanalysen. Die Markttreiber und -beschränkungen wurden bewertet, um ihre Auswirkungen im Prognosezeitraum zu ergründen. In diesem Bericht werden die wichtigsten Wachstumschancen aufgezeigt und gleichzeitig die wichtigsten Herausforderungen und möglichen Bedrohungen aufgezeigt. Schwerpunkte sind die spezifischen Anwendungen in den Bereichen Unterhaltungselektronik, Industriemotorantriebe, Wechselrichter & UPS sowie Automotive, HVAC, Renewable Energy.

Key Takeaways

Die Umsetzung neuer Strategien wie der Bonitätsbewertung bei der Herstellung von Elektrofahrzeugen und neue staatliche Vorschriften zur CO2-Reduzierung dürfte die Produktion des Elektrofahrzeugs erhöhen, was die Nutzung von IGBT erhöhen wird, was sich auf das Wachstum des IGBT-Marktes auswirken wird.

Die zunehmende Ausrichtung und Investitionen in Forschung und Entwicklung für neue IGBT-Chips und -Module, die zur Reduzierung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Chipdichte, des thermischen Widerstands und der Effizienz beitragen, würden die Position des IGBT-Marktes weiter stärken.

APAC hält einen großen Anteil am IGBT-Markt. Das Wachstum des Marktes wird durch die wachsende Zahl von Start-ups angetrieben, die sich auf die Einführung neuer Technologien konzentrieren, die die Leistung der Batterie der Elektrofahrzeuge verbessern werden, die den IGBT-Markt antreiben.

Zugehörige Berichte :

A. Markt für hohe Elektronenmobilität

https://www.industryarc.com/Report/19294/high-electron-mobility-transistor-market.html

B. Markt für Oberflächenmontagetechnologie

https://www.industryarc.com/Report/15454/surface-mount-technology-market.html

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