IGBT-Markt wert 6,6 Milliarden US-Dollar und Thyristor-Markt bis 2025 849 Millionen US-Dollar
Laut dem neuen Marktforschungsbericht “IGBT & Thyristor Market by Packaging Type (IGBT Discrete, IGBT-Modul), Nennleistung (Medium Power IGBT, High Power IGBT), Spannung (unter 400V, 600-650V), Anwendung (Power Transmission Systems, Motor Drives) und Region – Global Forecast to 2024″, veröffentlicht von MarketsandMarkets™ wird die globale IGBT-Marktgröße von 5,3 Mrd. USD im Jahr 2020 auf 6,6 Mrd. USD bis 2025 bei einem CAGR von 4,6 % geschätzt.
Die globale Marktgröße für Thyristor enden voraussichtlich von 781 Mio. USD im Jahr 2020 auf 849 Mio. USD bis 2025 bei einem CAGR von 1,7 %. Die Schlüsselfaktoren für das Wachstum des IGBT- und Thyristormarktes sind die Umsetzung staatlicher Initiativen in verschiedenen Ländern für den Ersatz alternder Energieinfrastrukturen und die Einführung von Elektromotoren in industriellen, gewerblichen und privaten Anwendungen.
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IGBT-Modul machte 2019 einen großen Anteil am IGBT-Markt aus
Das IGBT-Modul machte 2019 einen großen Teil des IGBT-Marktes aus, getrieben durch die zunehmende Einführung von Elektro- und Hybrid-Elektrofahrzeugen auf der ganzen Welt. Länder wie Deutschland, die USA, Chinaund Belgien haben maßgeblich zum weltweiten Absatz von Elektrofahrzeugen/HEVs beigetragen. IGBT-Module eignen sich für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge/HEVs.
Darüber hinaus befeuern weltweit regierungsinitiativen zur Förderung des Einsatzes von HGÜ-Systemen für Fernstromübertragungen die Nachfrage nach IGBT-Modulen. HGÜ-Projekte wie Viking Link (UK–Dänemark), Russia-Japan Energy Bridge (Russland–Japan), Buk Dangjin–Godeok HGÜ-Übertragungsverbindung (Südkorea) dürften das Wachstum des Marktes für IGBT-Module in naher Zukunft fördern.
Die Nachfrage nach igBT mit mittlerer Leistung wird im Prognosezeitraum voraussichtlich auf höchstem CAGR-Niveau wachsen
Der Hochleistungs-IGBT (mehr als 1 MW) soll den IGBT-Markt mit dem höchsten CAGR von 2020 bis 2025 anführen. Dieses Wachstum ist auf die zunehmende Einführung von Hochleistungs-IGBTs in HGÜ-Anlagen, Windkraftanlagen, Solarwechselrichtern und Elektrofahrzeugen zurückzuführen. Hochleistungs-IGBTs können mit mehr als 1 MW Leistung betrieben werden, was es für Hochleistungsanwendungen geeignet macht. Der Austausch alternder Stromübertragungsleitungen durch HGÜ und FACTS hat wesentlich zum Wachstum von Hochleistungs-IGBTs beigetragen. Atlantic Wind Connection – Transmission (US), Grain Belt Express Clean Line (US) und TransWest Express Transmission (US), Zhou Shan, Gezhouba – Shanghai (China), Tian-Guang (China) und Three Gorges – Changzhou (China), Russia – Japan Energy Bridge (Russland–Japan) sind einige der HGÜ-Projekte, die sich signifikant auf das Marktwachstum ausgewirkt haben.
Der größte Anteil am globalen Thyristormarkt entfiel 2019 auf Stromübertragungssysteme
Die Anwendung von Kraftübertragungssystemen hatte 2019 den größten Anteil am Thyristormarkt. Der Hauptfaktor, der zum Wachstum dieser Anwendung beiträgt, ist der zunehmende Einsatz von Thyristoren in HGÜ-Systemen und FACTS aufgrund ihrer geringen Leistungsverlustfähigkeit.
HGÜ-Systeme und FACTS verwenden Thyristoren zu DC zu AC und AC zu DC Konvertierung. Immer mehr HGÜ- und FACTS-Projekte wie die State Grid Corporation of China (SGCC) Transmission Lines (China), Russia-Japan Energy Bridge (Russland–Japan), Atlantic Wind Connection – Transmission (US), BRITIB Project (Spanien–Frankreich–UK) und die Grain Belt Express Clean Line (US) haben das Marktwachstum im Laufe der Jahre angetrieben.
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APAC wird voraussichtlich im Prognosezeitraum auf dem höchsten CAGR-Niveau wachsen
Von 2020 bis 2025 soll APAC den globalen IGBT-Markt auf dem höchsten CAGR-Markt anführen. Dieses Wachstum ist auf den zunehmenden Verkauf von Elektro- und Hybrid-Elektrofahrzeugen in den APAC-Ländern zurückzuführen. China, Japan, Südkoreaund Indien sind die wichtigsten Märkte für Elektrofahrzeuge/HEVs in APAC. Allein auf China entfielen im Jahr 2018 98 % des weltweiten Absatzes von Elektrobussen, was wesentlich zur Dominanz von APAC beigetragen hat.
Es wird erwartet, dass Initiativen der Regierungen der APAC-Länder zur Förderung der Nutzung dieser Fahrzeuge die Marktnachfrage in naher Zukunft weiter ankurbeln werden. So genehmigte die indische Regierung die Subvention in Höhe von 1,4 Mrd. USD zur Unterstützung der inländischen Hersteller von Elektrofahrzeugen. Auch die Präsenz einiger der weltweit größten Windparks und großen Solarstromprojekte in der Region hat das Wachstum des IGBT-Marktes vorangetrieben.
Infineon Technologies AG (Deutschland), Fuji Electric Co., Ltd. (Japan), ON Semiconductor (US), Mitsubishi Electric Corporation (Japan) und STMicroelectronics (Schweiz) sind die Wichtigsten Akteure im IGBT & Thyristor-Markt. Diese Akteure verfolgen zunehmend Strategien wie Produkteinführungen, Partnerschaften, Kooperationen, Verträge, Vereinbarungen, Akquisitionen und Erweiterungen, um ihren Marktanteil zu erhöhen.
Zugehörige Berichte:
HGÜ-Übertragungsmarkt nach Komponenten (Konverterstationen, Übertragungskabel und andere), Projekttyp (Point-to-Point, Back-to-Back und Multi-Terminal), Technologie (CCC, VSC und lCC), Anwendung und Geographie – Globale Prognose bis 2024
GaN Power Device Market nach Gerätetyp (Leistung, HF-Leistung), Spannungsbereich, Anwendung (Power Drives, Supply & Inverter und RF), Vertikal (Telekommunikation, Consumer, Automotive, Military, Defense, Aerospace) und Geographie – Globale Prognose bis 2023
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